El nuevo chip que cambiará la duración de tu batería.

batería

Hace unos días a través del IEDM, se anunció mediante a una colaboración entre la compañía IBM y Samsung, el nuevo gran avance que podría marcar la pauta para el desarrollo y diseño de semiconductores. Este nuevo avance pretende acaparar el camino para nuevos dispositivos, con una mayor densidad de transistores que nunca.

Tras una investigación, ambas compañías dieron a conocer los resultados donde proponen un nuevo diseño de chip. La arquitectura de este se llama VTFET (Vertical trasnport field effect transistor). En el, se colocan transistores perpendiculares a la superficie del chip, con el flujo de corriente vertical en ambas direcciones.

Según la investigación de IBM y Samsung este nuevo enfoque podría escalar más allá de la tecnología de nano hojas. Ya que los transistores del chip están situados a menos de 1 nanómetro de distancia entre sí.

“El anuncio de tecnología de hoy trata sobre desafiar las convenciones y repensar cómo continuamos haciendo avanzar la sociedad y brindando nuevas innovaciones que mejoran la vida y reducen nuestro impacto ambiental”

MÁS ENERGÍA, MENOS DESGASTE

En la actualidad existen ya arquitectura de chips dominantes en el mercado. Estos se conocen como transistores de efecto de campo de transporte lateral (o FET). En estos, la energía fluye entre los transistores de manera lateral. Sin embargo, la diferencia con la nueva arquitectura de los VTFET, es que en estos la corriente fluye de forma bilateral, por así decirlo a grandes rasgos.

Los VTFET usan la barrera de la escala a su favor para “jugar” con las restricciones físicas de los chips y optimiza características internas; ya sea para mayor optimización o mejor rendimiento.

“En el pasado, los diseñadores empaquetaban más transistores en un chip reduciendo su paso de puerta y paso de cableado”,

Por lo tanto, esto resulta relevante en cuestión de consumo y ahorro de energía. Ya que se estima un mayor flujo de la corriente con un menor desperdicio. Esto significaría una reducción del hasta el 85% de energía consumida en comparación a los chips FET actuales.

Llevándolo a un escenario del mundo real, podemos decir que este avance marca una nueva frontera alcanzada para la evolución de dispositivos de carga. Hablamos de la posibilidad de un desarrollo de celulares inteligentes con una duración de batería de hasta una semana. Y, de manera más amplia, reducir drásticamente el consumo de energía requerida para trabajos de computo intensivos como la minería de criptomonedas.

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Estudiante y entusiasta de las Relaciones Publicas, la Comunicación y el Periodismo. Amante del cine, la poesía y la fotografía.